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建设项目基本情况
建设项目名称
化合物及特色工艺半导体加工设备产业化（二期）项目
项目代码
上海代码：310115MA1H36T5220231D2203001
国家代码：2304-310115-04-01-216908
建设单位联系人
张念楚
联系方式

建设地点
上海市临港综合产业片区先行区雪洋路 588 号金桥临港智荟园三期 2 幢 2 座
1F~2F
地理坐标
（ 121 度 55 分 34.118 秒， 30 度 57 分 5.980 秒）
国民经济
行业类别
C3562 半导体器件
专用设备制造
建设项目
行业类别
三十二、专用设备制造业——电子和电
工机械专用设备制造——其他（仅简单
机加工的除外；年用非溶剂型低 VOCs
含量涂料 10 吨以下的、年用非溶剂型
胶粘剂 10 吨以下的除外）
建设性质
?新建（迁建）
?改建
√扩建
?技术改造
建设项目
申报情形
√首次申报项目
?不予批准后再次申报项目
?超五年重新审核项目
?重大变动重新报批项目
项目审批（核准/
备案）部门（选
填）
上海临港地区开发建
设管理委员会
项目审批（核准/
备案）文号（选
填）
上海代码：
310115MA1H36T5220231D2203001
国家代码：2304-310115-04-01-216908
总投资（万元）
5000
环保投资（万
元）
300
环保投资占比
（%）
6
施工工期
1 个月
是否开工建设
√否
?是：
用地（用海）
面积（m2）
3028（租赁面积）

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建
设
内
容
1.
项目概况
项目名称：化合物及特色工艺半导体加工设备产业化（二期）项目
建设单位：上海谙邦半导体设备有限公司
建设性质：扩建
建设地点：上海市临港综合先行区雪洋路588号金桥临港智荟园三期2幢2座厂房1F~2F
建筑面积：租赁面积3028 m2
行业类别：C3562 半导体器件专用设备制造
项目背景：上海谙邦半导体设备有限公司（以下或简称“谙邦半导体”） 是一家集研究、
开发、设计、生产、制造、销售于一身的制造高端半导体设备的企业。2020年 8 月 18 日，
谙邦半导体作为中国（上海）自由贸易试验区金桥临港智荟园首批重点项目，签约落户临
港，完成了“化合物及特色工艺半导体加工设备研发及产业化项目”（以下简称“一期”项
目）建设，并于2022年12月完成验收正式投产。由于目前市场上半导体设备供不应求，谙
邦半导体设备有限公司为进一步提高核心竞争力，以适应市场需求，拟租赁金桥临港智荟
园三期2幢2座厂房1F~2F建设“化合物及特色工艺半导体加工设备产业化（二期）项目”，
进行化合物及特色工艺半导体加工设备的生产及测试，生产规模为50台/年。
主要建设内容：租赁一幢四层标准厂房中1F~2F建设生产车间从事化合物及特色工艺
半导体加工设备的生产及测试，生产规模为50台/年。
项目投资：项目总投资5000万元；其中环保投资300万元，占比6%。
建设期：2023年7月（1个月）
项目特点：
①本项目租赁另一园区内已建标准厂房建设生产车间，与现有项目厂界距离100m，故
建设性质定为扩建。项目不涉及主体工程土建，施工期仅为装修和设备安装。
②项目生产工艺测试过程涉及废气、废水排放，不属于简单机加工，不涉及电镀，不
涉及一类污染物（废水）、重金属（废气）排放，不涉及溶剂型涂料，年用乙醇、异丙醇
200kg。
③项目废水包括纯水制备尾水、空调系统排水等清净下水和生活污水，依托租赁厂房
已建管网直接纳管排放，无独立排放口，已与上海金桥临港综合区投资开发有限公司签订
协议。
④本项目周边500m范围内无环境敏感保护目标。
2.
项目周边概况及环保责任边界划分


— 16 —
（1）周边概况
项目建设地点位于上海市临港综合产业片区先行区雪洋路588号金桥临港智荟园三期
2幢2座厂房1F~2F。
本项目地理位置及区域位置详见附图1、附图2。项目所在2幢2座厂房的3F~4F为空置
待租状态，西侧1幢为上海思格源智能科技有限公司，南侧6幢和7幢厂房均为空置待租状
态，北侧2幢1座厂房为空置待租状态，东侧为园区边界。园区四至情况详见附图3和附图4：
东侧：凯汇路，路以东为上海新金桥建设发展有限公司；
南侧：雪涛路，路以南为空地；
西侧：凯世通半导体公司；
北侧：雪洋路，路以北为金桥临港智荟园一期。
（2）环保责任主体及考核边界
环保责任主体：上海谙邦半导体设备有限公司
废气达标考核位置：DA001排气筒，厂区内、厂界。
废水达标考核位置：本项目废水依托租赁厂房已建管网直接纳管排放，无独立排放口，
已与上海金桥临港综合区投资开发有限公司签订协议。
噪声达标考核位置：本项目北侧与同一幢厂房内其他工厂相邻，不设置噪声考核点位，
因此项目噪声考核租赁区域以及周边公辅工程实际占地范围边界西侧、南侧、东侧外1m。

3.
产品方案
项目建成后，年产化合物及特色工艺半导体加工设备 50 台/年，包括刻蚀设备、化学
气相沉积设备、去胶设备等。产品种类和生产规模详见下表：
表 5 本项目产品方案
序号
产品名称
产能/规模
备注
1
化合物及特色工艺半导体加工设备
50 台/年
工艺涉及组装、测试

一期项目产能为 20 台/年，两期项目建成后全厂产能为 70 台/年。
4.
工程组成
项目所在 2 幢由通道分为南北两座，即 1 座和 2 座，共四层。本项目租赁 2 座厂房中
1F 和 2F，建筑面积为 3028m2，1F（建筑面积 1135.52m2）内设计 1 间 1 万级无尘室（面
积约 513 m2），用于设备组装及测试，其余为配套公辅区域；2F（建筑面积 1892.48m2）主
要设计为办公、仓库区域。本项目工程组成均为新建，与一期项目不在同一个园区内，本
项目与现有项目厂界距离约 100m，工程组成无依托关系，详见下表：
表 6 本项目工程组成和建设内容一览表
工程组
工程名称
工程内容或功能


— 17 —
成
主体工
程
一层（建筑面
积 1135.52m2）
1 间组装测试间，1 万级无尘室，位于厂房一层东部，面积
约 513 m2，进行化合物半导体加工设备设备的组装和测
试，年产设备 50 台。
辅助工
程
二层（建筑面
积 1892.48m2）
办公区域及仓库。
储运工
程
气体储存
①3 个气体间（特气房），位于厂房一层东侧，面积分别为
8 m2、13 m2 和 7.5m2，分类放置腐蚀性、惰性和燃爆类气
体钢瓶。
②1 个液氮站，位于厂房外西侧，面积约 28m2 ，设 1 个
20m3 液氮储罐。
化学品储存
无水乙醇和异丙醇储存在无尘室的防爆柜中
仓库
位于厂房二层北侧，用于放置大件的设备器件及零部件
等。
公用工
程
供电
市政电网供电，依托园区供电系统。年设计用电量 260 万
KW·h。
供水
市政给水管网供给，年生产用水量约 1101 吨。
排水
项目所在园区雨污水分流。
雨水依托园区北侧雨水排口接入市政雨水管网；污水依托
园区东侧污水排口纳入市政污水管网。
纯水
动力房（一层东侧，面积 48m2）内设置 1 套超纯水系
统，制备工艺为“多介质过滤+二级 RO”，纯水制备效率约
为 65%，制备能力 0.5t/h，纯水制备预估 100 吨/年，用于
工艺设备冷却水、洗手烘干机。
工艺设备冷却
水
原水由纯水供给，由热泵机组及单冷机组热交换提供，制
冷剂为电子氟化液。
压缩空气
动力站（厂房外南侧）内设置 2 台空压机，单台压缩空气
制备能力 3.8m3/min，为本地尾气处理装置提供空气。
泵房
位于一层组装测试间南侧，放置真空泵，为出货设备提供
真空系统。
环保工
程
废气
设备测试阶段产生的尾气经本地废气处理装置（Plasma
Scrubber）等离子燃烧+水洗处理后，尾气进入碱洗塔
TA001 喷淋处理，通过屋顶 1#排气筒（15000m3/h，30m）
排放。
异丙醇、乙醇擦拭废气由设备抽排风直接抽到碱洗塔
TA001 后经屋顶 1#排气筒（15000m3/h，30m）排放。
废水
纯水制备尾水、无尘室空调系统尾水同员工生活污水直接
纳入园区生活污水管网，排入临港新城污水处理厂。
固废
暂存
危废
1 个危废暂存间位于厂房二层货梯东侧，面积约 10.5m2。
1 个含氟废液暂存区位于 1F 动力房内，设 2 个 2m3 含氟废
液暂存罐。
一般固
废
1 个一般固废暂存间位于厂房二层货梯西侧，面积约
20m2。
噪声
采用低噪声设备、建筑隔声、隔声屏障（用于室外噪声
源）、减振垫、柔性连接等降噪措施。
风险
截流措施：环氧地坪、托盘、地沟、围堰等；燃爆气体间
围堰 0.75 m3，含氟废液暂存区围堰 2m3。


— 18 —
易燃/有毒气体防控：设置可燃/有毒气体侦测器及报警、连
锁装置；
雨水截止阀：依托智荟园雨排口已有的截止阀。

5.
厂区平面布置
项目租赁 1 幢 2 层厂房，1F 设置 1 个万级无尘室，工艺冷却水水泵机、空压机位于厂
房外南侧动力站内；纯水机设置在动力机房内，利用建筑隔声，利于降噪。动力房、特气
间均位于组装测试间东侧，液氮站位于厂房外西侧，物料输送距离短，利用安全、节能；
2 层设置办公区域和零部件仓库，仓储与生产分层布置，平面布局合理。项目废气排口最
大落地范围内不存在居民区，危废仓库位置远离周边敏感目标，厂房平面布置从源头减小
了环境风险，布局合理。
综上，项目各层布局紧凑，装置内部物料输送距离短，利于安全、节能，减小环境风
险。从环保角度分析需要加强室外噪声源的降噪措施。

6.
主要主要生产设施及设施参数
本项目化合物及特色工艺半导体设备以人工手动组装为主，不使用大型设备。本项
目设备均为新增。
表 7 主要生产单元、主要生产设施名称一览表 单位：台
序号
设备名称
规格/型号
数量
(台/套)
使用工序(与工艺流程对
应)
所在位置
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13


— 19 —
14
15
16
17
18
19
20

7.
主要原辅材料及燃料的种类和用量
7.1. 原辅材料消耗情况
本项目主要原辅材料使用情况见下表。其中 CHF3、C4F8、CF4、SiH4、NF3、WF6、SF6
均属于特气。
表 8 本项目新增主要原辅材料及燃料的种类和用量一览表
序
号
原辅材料
名称
使用工序
单
位
年用量
储存情况
储存位
置
包装规格
最大储存
量
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11


— 20 —
12
13
14
15
16
17
*项目硅片选用 11N 高纯硅，不含硼、磷、锑、砷等杂质；碳化硅基片为客户提供，不存储。约 1/5 的硅
片购买时已带有光刻胶。
各类特气管路切换时会设置 2 瓶，故最大存储量为 2 瓶。

7.2. 原辅材料理化性质
本项目所用的化学品的主要成分和理化特性情况见表 9。
表 9 化学品主要成分及理化性质表
序
号
化学
品名
称
Cas 号
理化性质
毒理学数据
1
外观与性状:无色无臭气体
相对密度:6.602
闪点(°C):6.602
沸点(°C):?64 °C1 mm Hg(lit.)
熔点(°C):?50 °C(lit.)
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):22 mm Hg ( 21.1 °C)
爆炸极限(V/V):/

/
2
外观与性状:无色气体或浅黄色液体
相对密度:13.1 g/L. gas
闪点(°C):/
沸点(°C):17.5 °C(lit.)
熔点(°C):2.3 °C(lit.)
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):/
爆炸极限(V/V):/

/
3
外观与性状:无色无味气体
相对密度:3.04 (vs air)
闪点(°C):/
沸点(°C):?130 °C(lit.)
熔点(°C):?184 °C(lit.)
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):/
爆炸极限(V/V):/

/
4
外观与性状:无色无臭气体
相对密度:1.51
/


— 21 —
闪点(°C):/
沸点(°C):-5.9℃
熔点(°C):-40.1℃
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):312.55kPa
爆炸极限(V/V):/

5
外观与性状:无色易燃气体，具有酶的气味
相对密度:0.88-1.20
闪点(°C):/
沸点(°C):-75.7—78.2
熔点(°C):-141.8
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):/
爆炸极限(V/V):/

/
6
外观与性状:无色无味无臭气体
相对密度:1.14（-183℃）
闪点(°C):421.9
沸点(°C):-182.9
熔点(°C):-218.8
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):506.62kPa（-164℃）
爆炸极限(V/V):/

LD50：无资料
经口
LD50：无资料
经皮
LC50：无资料
吸入
TCLo：100pph
人类吸入 14h
7
外观与性状:/
相对密度:/
闪点(°C):/
沸点(°C):-185.7
熔点(°C):/
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):202.64(-179℃)
爆炸极限(V/V):/

/
8
外观与性状:无色、无味的压缩气体
相对密度:0.81(-196℃)，相对蒸气密度（空气＝
1）0.97
闪点(°C):/
沸点(°C):-195.8℃
熔点(°C):-209.9℃
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):1026.42kPa(-173℃)
爆炸极限(V/V):/

/
9
外观与性状:无色透明液体，有似乙醇的气味
相对密度:0.79
闪点(°C):12°C
沸点(°C):82.5℃
熔点(°C):-88.5℃
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):4.40kPa(20℃)
爆炸极限(V/V):空气中 2%～12%（体积）

经 口 : LD50
Dog oral 4797
mg/kg
吸 入 : LC50
Mouse
inhalation 53
mg/L 2 hr
10
外观与性状:压缩液体，无色无臭
相对密度:0.81（-196℃）
/


— 22 —
闪点(°C):/
沸点(°C):-195.6
熔点(°C):-209.8
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):1026.42kPa（-173℃）
爆炸极限(V/V):/

11
外观与性状:无色无臭气体
相对密度:0.07
闪点(°C):/
沸点(°C):?252.8 °C(lit.)
熔点(°C):?259.2 °C(lit.)
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):165320kPa( 25°C)
爆炸极限(V/V):空气中 4%～75%（体积）

/
12
外观与性状:无色有发霉气味的气体
相对密度:2.46
闪点(°C):/
沸点(°C):-129°C
熔点(°C):-207°C
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):/
爆炸极限(V/V):/

LC50
：
6700ppm
（
19787
mg/m3）
13
外观与性状:无色有刺激性气体
相对密度:1.2
闪点(°C):/
沸点(°C):-112
熔点(°C):-184.7
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):/
爆炸极限(V/V):空气中 1.37%～100%(体积)

LC50 ： 9600
ppm（4 h，大
鼠吸入)
14
外观与性状:白色不透明固体，易潮解
相对密度:2.12
闪点(°C):/
沸点(°C):1390℃
熔点(°C):318.4℃
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):0.13kpa(739℃)
爆炸极限(V/V):/

/
15
外观与性状:无色、无味、无臭气体
相对密度:相对蒸气密度（空气=1）：0.138
闪点(°C):/
沸点(°C):-268.9℃
熔点(°C):/
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):202.64kpa（-268℃）
爆炸极限(V/V):/

/
16
外观与性状:无色透明液体，有特殊的芳香气味
相对密度:786.4kg/m3（温度：25°C）
闪点(°C):14
经口: LD50 -
rat (female) -
15 010 mg/kg


— 23 —
沸点(°C):78.29°C（气压：1 013.25 hPa）
熔点(°C):-114°C
饱和蒸气压：(KPa,-57.3°C):8kPa [26℃]
爆炸极限(V/V):3.3%~19%

bw.
吸入: LC50 -
mouse (male)
- > 60 000
ppm.

本项目不涉及《有毒有害大气污染物名录（2018 年）》、《有毒有害水污染物名录（第
一批）》中的物质。制冷剂电子氟化液成分为 C5-18 全氟烷烃，不属于《关于消耗臭氧层
物质的蒙特利尔协定书》的消耗臭氧层 ODS 受控物质。

7.3. VOCs 辨识
根据《大气污染物综合排放标准》（DB31/933-2015）中对挥发性有机物 VOCs 的定
义：指 20℃时蒸汽压不小于 10 Pa 或者 101.325 kPa 标准大气压下，沸点不高于 260℃的有
机化合物或者实际生产条件下具有以上相应挥发性的有机化合物（甲烷除外）的统称。参
考以上依据，本项目涉及的 VOCs 包括：异丙醇、无水乙醇及


8.
劳动定员及生产制度
本项目劳动定员 50 人。生产单班制，每班 8h，年生产 250d。故年生产时间 2000h。
9.
水平衡
（1）给水
市政管网给水，项目所在厂房供水依托金桥临港智荟园供水系统，年设计用水量
1101.2t/a。其中员工生活用水625t/a，纯水制备用水154t/a，无尘室空调系统用水300t/a，碱
洗塔喷淋用水20t/a，本地废气处理装置用水2.2t/a。
项目设1套纯水系统制备纯水用于工艺设备冷却水、无尘室空调系统。制备工艺为“多
介质过滤+二级RO”，纯水制备效率约为65%，制备能力0.5t/h，年设计用水量154t/a，制得
纯水量100t/a，将用于工艺设备冷却水补水，冷却水循环使用，定期补充消耗，每年预计需
补充纯水90t/a。洗手烘干机用纯水量为10t/a。
（2）排水
园区雨污分流，已建成完善的雨污管网。
本项目排水包括生活污水以及纯水制备尾水。生活污水排放量按用水量的 90%计，则
生活污水排放量为 562.5t/a；项目纯水制备尾水为 54t/a；项目无尘室空调系统损耗 10%，
排放 90%，排放量为 270t/a；洗手废水 10t/a。纯水制备尾水、空调系统尾水、洗手废水同
员工生活污水（共 896.5t/a）直接纳入园区污水管网，排入临港新城污水处理厂。
本地废气处理装置、碱液喷淋塔产生的废液，经收集后交由有资质单位处置。


— 24 —
给水
纯水制备
废气洗涤塔
工艺设备冷却水
洗手烘干机
员工生活用水
纳管排放
90t/a
10t/a
2.2t/a
100t/a
154t/a
20t/a
625t/a
制纯尾水
54t/a
损耗62.5t/a
54t/a
损耗0.2t/a
损耗90t/a
损耗2t/a
1101.2t/a
896.5t/a
交由有资质单位处置
18t/a
循环20m3/h
本地废气处理装置
2t/a
无尘室空调系统
损耗30/a
300t/a
空调系统尾水270t/a
洗手废水
10t/a

图 1 项目水平衡图


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化合物及特色工艺半导体加工设备产业化（二期）项目2023-06-05